永久鍵合 Permanent Bonder
永久鍵合製程包含Anodic,Fusion,Metal,Eutectic與Polymer等鍵合設備。
透過高溫、常溫、高真空、高壓製程鍵合設備。
應用於Die/Wafer的SOIC,FOWLP,COWOS,3DIC,HBM,Micro Led,D-Ram,PLP等先進封裝產品應用。
8”/12” TCB
- Wafer size: 4” to 12”
- Metal to Metal
- Center Accuracy: ± 0.3um
- Mechanical resolution: ±0.08um
- Chuck Flatness: ±2um
- Heating: Max. 550°C
- Force: 5N–150KN
- Alignment: CCD (IR optional)
- High Vacuum Chamber Design
Hybrid Bonder
- Wafer size: 4” to 12”(Wafer to Wafer)
- Metal. SiO2 . Sapphire. GaAs. InP. SiC
- Center Accuracy: ± 0.3um
- Mechanical resolution: ±0.08um
- Chuck Flatness: ±2um
- Heating: Max. 550°C
- Force: 5N–150KN
- Alignment: CCD (IR optional)
- High Vacuum Chamber Design
MGC（LAB）Laser Assisted Bonding
封裝方式包含多種晶片到基板互連技術，例如回流焊接 (MR)、熱壓鍵合 (TCB) 和雷射輔助鍵合 (LAB)。 MR 製程成熟，但在細間距元件和大/薄基板封裝方面存在一些限制。 TCB 的優點在於能夠最大限度地降低低介電常數元件的凸點應力，但其生產效率非常低。而 LAB 則憑藉其局部加熱和短鍵合時間，為先進裝置提供了解決方案。近年來，市場對細間距倒裝晶片凸點和大/薄基板封裝的需求不斷增長，LAB 因其優良的品質和低溫度.低壓力的特性，克服了TCB 在高精度對位(< 0.1um )移位的難題。
洺宙公司LAB技術應用於AR/VR 眼鏡(Micro Led 電極與基板鍵合).背面金屬化（BSM）晶片鍵合。為未來下一代鍵合裝置的另一個解決方案。
MGC-5000L
- Wafer size: 4” to 12” (Die to Wafer)
- Die size: 0.18” to 0.5” (AR/VR)
- Bonding material : Au. AuSn. AuIn
- Center Accuracy: ± 0.25um
- Mechanical resolution: ±0.08um
- Heating: RT/Force: 3N
- Alignment : CCD (IR optional)
- Laser module: IR laser optical module
- Laser beam: Square size